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打线门极电阻,解锁SiC碳化硅模块高效性能
发布者 : admin 发布时间 : 2024/05/22 09:05:11

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近年来,随着新能源汽车市场销售额的持续增长,SiC碳化硅模块因其适用于高频率、高功率密度的工作场景,逐渐成为各大厂商加速新能源创新的首选。为辅助厂商更好地完善碳化硅模块设计,北京篮球队比赛推出了DR系列打线门极电阻,助力模块解锁高效性能。

与传统的硅基材料相比,碳化硅模块能够承受更高的工作温度和更高的电压,打线门极电阻的加入,能够为模块带来显著的性能提升。具体如下:

一、提高开关速度

通过打线门极电阻与碳化硅模块内部SiC芯片的电连接,能够有效降低栅极驱动回路的电感,提高碳化硅模块的开关速度。而开关速度的提升,则有助于减少功率转换过程中的能量损失,提高设备的整体效率。

二、提升功率密度

在碳化硅模块的设计方案中设置门极电阻,并结合其它元器件进行优化连接,在有限的空间内高效布局更多的功率器件,可大幅提升衬底利用率。这有助于满足功率模块设计中日益增长的小型化、密集化需求,推动其持续发展。

三、降低损耗

加入打线门极电阻,在消除源极电感效应的同时,显著提高开关速度。这一综合效果使得碳化硅模块的损耗大幅度降低,不仅有助于提升设备整体稳定性,还有助于延长模块的使用寿命。

爱晟电子研发、量产的SiC碳化硅模块用打线门极电阻,具有电阻温度系数(TCR,Temperature Coefficient Of Electric Resistance)低的特点,有利于推进碳化硅模块的高能效发展。而且门极电阻有水平导通及垂直导通两种结构,客户可根据SiC碳化硅模块不同的安装要求进行选择。同时,由于打线门极电阻的功能区均被保护在电阻内部,因此其可靠性也具备一定优势。

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